Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

RS Best.-Nr.:: 210-4957
Herst. Teile-Nr.:: SiDR626LDP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,702 €

(ohne MwSt.)

3,215 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	2,702 €	13,51 €
50 - 120	2,434 €	12,17 €
125 - 245	1,972 €	9,86 €
250 - 495	1,70 €	8,50 €
500 +	1,46 €	7,30 €

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Datasheet - SiDR626LDP-T1-RE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	204 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0012 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	1 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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