Vishay SiDR220DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SIDR220DP-T1-RE3 SO-8

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204-7232
Herst. Teile-Nr.:
SIDR220DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiDR220DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 25 V (D-S) MOSFET hat ein optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/QGS-Verhältnis, um die Schaltverluste zu reduzieren.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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