Vishay SiRA74DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 210-5008
Herst. Teile-Nr.:: SiRA74DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiRA74DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Datasheet - SiRA74DP-T1-GE3

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Produktdetails

Der Vishay N-Kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Optimiert für Schwall-Lötverfahren
Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	81,2 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0035 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	1 → 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SiRA74DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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