- RS Best.-Nr.:
- 210-5009
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
0,741 €
(ohne MwSt.)
0,882 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 90 | 0,741 € | 7,41 € |
100 - 240 | 0,704 € | 7,04 € |
250 - 490 | 0,534 € | 5,34 € |
500 - 990 | 0,481 € | 4,81 € |
1000 + | 0,408 € | 4,08 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 210-5009
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay N-Kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Optimiert für Schwall-Lötverfahren
Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung
Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Optimiert für Schwall-Lötverfahren
Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 81,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0035 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 1 → 2.4V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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