Vishay SiRA74DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 81.2 A 46.2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5009
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
9,46 €
(ohne MwSt.)
11,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 5.340 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,946 € | 9,46 € |
| 100 - 240 | 0,899 € | 8,99 € |
| 250 - 490 | 0,682 € | 6,82 € |
| 500 - 990 | 0,614 € | 6,14 € |
| 1000 + | 0,589 € | 5,89 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5009
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiRA74DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.25mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiRA74DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.25mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Optimiert für Schwall-Lötverfahren
Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung
Verwandte Links
- Vishay SiRA74DP Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 4-Pin SO-8
- Vishay SiSS26LDN Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8
- Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4 8-Pin SO-8
- Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAK
- Vishay Typ P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay Typ P-Kanal 8-Pin SO-8