Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsübertragung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erforderlich sind. Die Komponente eignet sich für Designs, die eine Hochspannungsblockierung, einen moderaten Leitungsstrom und eine kompakte Montage erfordern.

• 600 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 280 mΩ Rds(on) für effiziente Leitung unter normalen Betriebsbedingungen
• 18 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 53 W maximale Verlustleistung für thermische Spanne in Leistungsstufen
• 20-V-Gate-Toleranz für Kompatibilität mit gängigen Gate-Treibern

• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und SMPS-Primärschalter
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Leistungsmodule
• Einsatz mit Gleichrichter- und Snubber-Netzwerken bei der Stromaufbereitung
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontenden verwendet werden
• Wird für Telekommunikations-Stromversorgungssysteme verwendet, die eine platzsparende Montage erfordern

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage entwickelt wurde, um eine flache Platinenintegration und eine effiziente Wärmeleitfähigkeit auf Platinenebene zu gewährleisten.

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und definiert zulässige Umgebungs- und Anschlussbedingungen für einen zuverlässigen Betrieb innerhalb dieses Bereichs.

Bei einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V sollten die Treiber die Spitzen-Vgs innerhalb dieser Grenze halten und bei der Einstellung des Antriebsstroms für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit die typische Gate-Ladung von 18 nC berücksichtigen.

Erwarten Sie kontinuierliche Ablassströme von bis zu 12 A, wobei die Leitungsverluste durch den spezifizierten Einschaltwiderstand von 280 mΩ und das gesamte thermische Design der Platine beeinflusst werden.