Infineon CoolMOS™ P7 IPD60R180P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 214-4383
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 2500 + | 0,928 € | 2.320,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4383
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180P7ATMA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,18 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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