Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4389
Herst. Teile-Nr.:
IPD70N12S311ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.65mm

Breite

6.42 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS MOSFET ist für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet und zu 100 % auf Lawinenbildung geprüft.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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