Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-9038
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N12S3L15ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252

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20 - 90	1,397 €	13,97 €
100 - 240	1,289 €	12,89 €
250 - 490	1,198 €	11,98 €
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RS Best.-Nr.:: 214-9038
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N12S3L15ATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IPD50N12S3L15ATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Gehäusegröße	TO-252
Serie	OptiMOS™-T
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,015 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252

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