Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 50 A 100 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9038
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N12S3L15ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS-T-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Er ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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