Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4478
Herst. Teile-Nr.:
SPD02N80C3ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Cool MOS MOSFET verwendet eine neue revolutionäre Hochspannungstechnologie und verfügt über eine hohe Peak Current Kapazität.

Er verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung

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