Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
214-8973
Herst. Teile-Nr.:
BSC0502NSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

650mV

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

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