Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 101 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
214-9118
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R125C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS C7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

101W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)

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