- RS Best.-Nr.:
- 214-9119
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Serie | CoolMOS C7 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,125 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
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