Infineon CoolMOS™ CE IPA60R080P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 37 A, 3-Pin TO-220 FP

Der Infineon 600V Cool MOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V Cool MOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen sieben effizienter, kompakter und viel kühler.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >2 kV (HBM) für alle Produkte
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen