Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 29 W, 3-Pin TO-252

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Strombelastbarkeit und ein breiter Temperaturbereich erforderlich sind. Er arbeitet als N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus und eignet sich für Schaltkreise, die eine kontrollierte Leitung zwischen Drain und Quelle unter dem angelegten Gate-Antrieb benötigen. Die Komponente ist in einem TO-252-Gehäuse für die Leiterplattenmontage untergebracht und eignet sich für typische Gate-Drive-Spannungen, die in diskreten Leistungsstufen verwendet werden.

• Die Nenndrain-Spannung von 60 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit mittlerer Spannung
• 25 A Dauerstrom unterstützt Schaltvorgänge mit hoher Last
• Maximale Rds(on) von 300 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 29 W bewältigt thermische Belastungen
• 16,3 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten
• Die Gate-Nennspannung von ±20 V toleriert gängige Gate-Ausbrüche

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantrieb-Halbbrücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Schaltelemente verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Niederspannungs-Leistungsschaltvorgänge

Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz in extremen thermischen Umgebungen.

Eine typische Gate-Ladung von 16,3 nC bestimmt die erforderliche Antriebsenergie und wirkt sich auf die Schaltgeschwindigkeit und die Antriebsgröße für effiziente Übergänge aus.

Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse erfordert eine ausreichende Kupfer-Pad-Fläche und Wärmeleitungen auf der Leiterplatte, um Wärme zu vertreiben und die 29-W-Ableitfähigkeit zu erfüllen.

Das Gerät nimmt Gate-Spannungen von bis zu ±20 V auf, wodurch die maximal zulässige Ansteuerung festgelegt wird, um Gate-Überspannungen zu vermeiden.