Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
215-2605
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44ESTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

48 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,023 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Leistungspaket, das Matrizengrößen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Vollständig lawinengeprüft
Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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