Infineon HEXFET Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 48 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
215-2605
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44ESTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die HEXFET der fünften Generation der Infineon-Serie von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand am Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Designer ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Power-Paket, das Matrizen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten möglichen Einschaltwiderstand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack eignet sich aufgrund seines geringen internen Anschlusswiderstands für Hochstromanwendungen und kann bis zu 2,0 W bei einer typischen Oberflächenmontageanwendung ableiten.

Erweiterte Prozesstechnologie

Vollständig lawinenbeständig

Schnelles Umschalten

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