Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 9.7 A 48 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
831-2821
Herst. Teile-Nr.:
IRF520NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRF520NSTRLPBF


Dieser MOSFET ist für effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Seine hohe Belastbarkeit bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten in den Bereichen Automatisierung und Elektronik. Dank der fortschrittlichen Prozesstechnologie gewährleistet dieses Gerät Leistung und Zuverlässigkeit und ist somit für den Einsatz in betrieblichen Umgebungen geeignet. Die Eigenschaften dieses MOSFETs verbessern die Schaltungsleistung erheblich.

Eigenschaften und Vorteile


• Geringer Einschaltwiderstand trägt zu verbesserter Energieeffizienz bei

• Hoher Ableitstrom von 9,7 A unterstützt robuste Leistung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V bietet Anwendungsflexibilität

• Der Enhancement-Modus ermöglicht effektive Schaltfunktionen

• Oberflächenmontiertes Design ermöglicht kompakte PCB-Layouts

Anwendungsbereich


• Einsatz in Power-Management-Systemen zur Energieumwandlung

• Geeignet für Automatisierungssteuerungen, die schnelles Schalten erfordern

• Anwendung in Motorsteuerungsschaltungen für Präzision

• Verwendung in Systemen für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichtern

• Wird in Audioverstärkern verwendet, um die Klangqualität zu verbessern

Welche Art der Befestigung ist für dieses Gerät geeignet?


Dieses Bauteil ist oberflächenmontiert, wodurch es mit automatisierten PCB-Bestückungsprozessen kompatibel und ideal für Layouts mit hoher Dichte ist.

Kann es während des Betriebs mit hohen Temperaturen umgehen?


Ja, er hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C und ist damit für raue Umgebungen geeignet, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.

Ist dies für Anwendungen geeignet, die ein schnelles Umschalten erfordern?


Ja, seine hohe Schaltgeschwindigkeit verbessert die Leistung bei Anwendungen wie PWM- und DC-DC-Wandlern.

Wie lautet die Induktivitätskennlinie dieses Geräts?


Die interne Drain-Induktivität beträgt typischerweise 4,5nH und trägt zu einem reaktionsschnellen Betrieb bei.

Wie wird die Verlustleistung in diesem MOSFET gehandhabt?


Er ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 48 W und gewährleistet thermische Stabilität und effektive Leistung in verschiedenen Schaltungen.

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