Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 107 A 136 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9661
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM048NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- TSM048NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 107A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 107A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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