Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 83 W, 8-Pin PDFN56

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216-9668
Herst. Teile-Nr.:
TSM070NB04CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Länge

6mm

Höhe

1.1mm

Breite

4.21 mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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