Infineon CoolMOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 64 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
217-2560
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R210CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS 7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

64W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

29.95mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/Dtruggness

Niedrigster FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Erstklassiger RDS(on) in SMD- und THD-Gehäusen

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