Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 12.5 A 11.5 W, 6-Pin PQFN

Dieser MOSFET ist ein kompakter N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine kontrollierte Leitfähigkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz in kompakten PQFN-Gehäusen vorgesehen, die die Leistungsaufnahme mit einer geringen Grundfläche ausgleichen.

• Maximale Drain-Source-Spannung von 80 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Rds(on) von 42 mΩ minimiert Leitungsverluste bei schweren Lasten
• 12,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• Die typische Gate-Ladung von 7 nC ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Steuerung
• 11,5 W maximale Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen in beengten Umgebungen
• 20 V Gate-Source-Grenzwert ermöglicht sichere gemeinsame Gate-Treiber-Spannungen

• Geeignet für DC/DC-Wandler in kompakten Netzteilen
• Ideal für Motortreiberstufen, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Wird für Batteriemanagement-Schaltkreise in stromintensiven Designs verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromschienen verwendet werden
• Einsatz in thermisch anspruchsvollen Systemen über weite Temperaturschwankungen hinweg

Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Er wird in einem 6-poligen PQFN-Layout geliefert, um die Oberflächenmontage zu vereinfachen.

Die Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was Verlust- und Abfallberechnungen in Leitungswegen informiert.

Das Gerät wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten vorgesehen ist.

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das je nach den Anforderungen an die Schaltkreise für Low-Side- oder High-Side-Schalttopologien geeignet ist.