Infineon HEXFET IRL80HS120 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020

Die neuen Leistungs-MOSFETs von Infineon, die in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich sind, eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschalten und für Anwendungen mit Formfaktor. Sie ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und verbesserte Effizienz sowie erhebliche Platzersparnis.

Niedrigster FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimierte Q g, C oss und Q rr für schnelles Schalten
Logikpegel-Kompatibilität
Kleines PQFN-Gehäuse, 2 x 2 mm