Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 200 V / 35 A 150 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

10,66 €

(ohne MwSt.)

12,685 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,132 €10,66 €
25 - 451,79 €8,95 €
50 - 1201,686 €8,43 €
125 - 2451,556 €7,78 €
250 +1,448 €7,24 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-2979
Herst. Teile-Nr.:
BSC350N20NSFDATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Länge

5.35mm

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normale

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Verwandte Links