Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3096
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-414
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
11,73 €
(ohne MwSt.)
13,96 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 4.480 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,173 € | 11,73 € |
| 50 - 90 | 1,116 € | 11,16 € |
| 100 - 240 | 1,067 € | 10,67 € |
| 250 - 490 | 1,021 € | 10,21 € |
| 500 + | 0,951 € | 9,51 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3096
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-414
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65 mm | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W IRL530NSTRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A IRFS3206TRRPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A IRLS4030TRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263