Infineon OptiMOS™ 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

RS Best.-Nr.:: 220-7371
Herst. Teile-Nr.:: IPB011N04LGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

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Der Infineon OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
RoHS-konform - halogenfrei
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten
Sehr niedrige Spannungsübersteuerung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	TO-263-7
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	0,0011 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Infineon OptiMOS™ 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

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