Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin TO-252

Diese MOSFET und Diode ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochstromanwendungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor mit integrierter Diode, der für den Einsatz in oberflächenmontierten Systemen vorgesehen ist, die eine robuste Leitfähigkeit und thermische Toleranz erfordern. Die Komponente arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist so konstruiert, dass sie den Anforderungen der Automobilindustrie für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik und in industriellen Steuerungen entspricht.

• Die Nennleistung von 60 V ermöglicht das Schalten von Stromschienen mit mittlerer Spannung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen Hochstromlasten
• 23 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 36 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 16,1 nC sorgt für ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 1,3 V Durchlassspannung für effiziente Diodenleitung

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für Antriebsstufen von Gleichstrommotoren in Fahrzeugen
• Verwendung mit Hochstromwandlern und Reglern
• Kann zum Schalten von Lasten in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die eine thermische Belastbarkeit erfordern

Das Gerät darf nicht über ±16 V Gate-to-Source hinaus betrieben werden, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage mit drei Stiften vorgesehen ist.

Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C für den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.

Er verwendet einen N-Kanal-Verbesserungsmodus, sodass eine positive Gate-Spannung im Verhältnis zur Quelle erforderlich ist, um ihn einzuschalten.