Infineon OptiMOS™ IPD30N06S4L23ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 30 A, 3-Pin TO-252

Infineon bietet eine Vielzahl von N-Kanal-Kfz-qualifizierten Leistungs-MOSFETs mit 55 V bis 60 V und der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen und RDS(on) von 1,5 mEx bis 160 mEx. Die neue 60-V-Automobil-MOSFET-Familie mit OptiMOS5-Technologie bietet mehr Leistung und führende Leistung. OptiMOS 5 bietet reduzierte Leitungsverluste, die für Antriebe und Leistungswandlungsanwendungen optimiert sind. Die kleineren bleifreien Gehäuse SSO8 (5 x 6 mm2) und S3O8 (3 x 3 mm2) ermöglichen Platzersparnis um mehr als 50 % im Vergleich zur Fläche eines DPAK.

N-Kanal - Anreicherungstyp
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
Weltweit niedrigster RDS bei 60 V (ein)
Höchste Strombelastbarkeit
Niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz
Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit
Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen