Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 147 W, 5-Pin IPL60R095CFD7AUMA1 VSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7431
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
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- IPL60R095CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 147W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 147W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss
Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
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