Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7500
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS6802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
411,00 €
(ohne MwSt.)
489,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 12.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,137 € | 411,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,13 € | 390,00 € |
| 9000 + | 0,125 € | 375,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7500
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS6802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3mm | |
| Breite | 1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3mm | ||
Breite 1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das Micro6-Gehäuse mit seinem kundenspezifischen Kabelrahmen erzeugt einen HEXFET ® -Leistungs-MOSFET mit RDS(on) 60 % weniger als ein SOT-23 in ähnlicher Größe. Dieses Gehäuse ist ideal für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte sehr knapp ist. Das einzigartige thermische Design und die RDS(on)-Reduzierung ermöglichen eine Strombelastungssteigerung von fast 300 % im Vergleich zum SOT-23.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
P-Kanal-MOSFET
Oberflächenmontage
Erhältlich in Band und Rolle
Bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 2-Pin IRLMS6802TRPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin IRF9Z34NSTRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263