Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 20 V / 5,6 A, 2-Pin D2PAK (TO-263)

Die Infineon P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das Micro6-Gehäuse mit seinem kundenspezifischen Kabelrahmen erzeugt einen HEXFET ® -Leistungs-MOSFET mit RDS(on) 60 % weniger als ein SOT-23 in ähnlicher Größe. Dieses Gehäuse ist ideal für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte sehr knapp ist. Das einzigartige thermische Design und die RDS(on)-Reduzierung ermöglichen eine Strombelastungssteigerung von fast 300 % im Vergleich zum SOT-23.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand
P-Kanal-MOSFET
Oberflächenmontage
Erhältlich in Band und Rolle
Bleifrei