- RS Best.-Nr.:
- 222-4723
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 14 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Serie | CoolMOS |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,17 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Silicon |
- RS Best.-Nr.:
- 222-4723
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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