Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 170 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
222-4732
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010ESTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

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