Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 13 A, 4-Pin IMZ120R220M1HXKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IMZ120R220M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

IMZ1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

220mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM MOSFET 1200 V, 220 mΩ im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiter-Prozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste

Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.

0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung

Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich

Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

Treiberquellen-Pin für optimierte Schaltleistung

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