Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 345 A 341 W, 8-Pin DirectFET

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

13,20 €

(ohne MwSt.)

15,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Nur noch Restbestände
  • Letzte 3.828 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 86,60 €13,20 €
10 - 185,94 €11,88 €
20 - 485,545 €11,09 €
50 - 985,215 €10,43 €
100 +4,82 €9,64 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-8455
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7749L2TR
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

345A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

183nC

Gate-Source-spannung max Vgs

60 V

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde für Anwendungen entwickelt, bei denen Effizienz und Leistungsdichte von Wert sind. Die Advanced DirectFET-Verpackungsplattform in Verbindung mit der neuesten Siliziumtechnologie ermöglicht diesem MOSFET erhebliche Einsparungen auf Systemebene und eine Leistungssteigerung speziell in Motorantreiberanwendungen, DC/DC- und anderen Schwerlastanwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Außergewöhnlich kleine Abmessungen und niedrige Bauhöhe

Hohe Leistungsdichte

Niedrige parasitäre Parameter

Beidseitige Kühlung

175 °C Betriebstemperatur

Ohne Leitung

RoHS-konform

Halogenfrei

Für Kraftfahrttechnik geeignet

Verwandte Links