Infineon IPDQ60R010S7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
225-0580
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R010S7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPDQ60R010S7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.06mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPDQ60R010S7 ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET und ermöglicht die beste Leistung für niederfrequente Schaltanwendungen. Der MOSFET ist für statische Schaltanwendungen und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais- und Schutzschalterausführungen sowie für die Liner Rektifikation in SMPS- und Wechselrichtertopologien.

Minimiert Leitungsverluste

Erhöht die Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Beseitigt oder reduziert Kühlkörper in Halbleiterbauweise

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