Teile-Nr.

Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 225-0582
Herst. Teile-Nr.:: IPT010N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

13,99 €

(ohne MwSt.)

16,648 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

98 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	6,995 €	13,99 €
20 - 48	6,02 €	12,04 €
50 - 98	5,60 €	11,20 €
100 - 198	5,245 €	10,49 €
200 +	4,83 €	9,66 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 225-0582
Herst. Teile-Nr.:: IPT010N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	43A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	IPT010N08NM5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.05mΩ
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	178nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.4mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie IPT010N08NM5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.4mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet-IPT010N08NM5ATMA1

Der Infineon IPT010N08NM5 ist der 1-N-Kanal OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET 80 V 1,05 mΩ 425 A in einem TOLL-Gehäuse. Die Siliziumtechnologie OptiMOS 5 ist eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs und wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt.

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungs-/Überschwingen

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Links