Infineon IPT010N08NM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 225-0581
Herst. Teile-Nr.:: IPT010N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT010N08NM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:: 225-0581
Herst. Teile-Nr.:: IPT010N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	43A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	IPT010N08NM5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.05mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	178nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.4mm
	Länge	10.1mm
	Breite	10.58mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie IPT010N08NM5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.05mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.4mm
	Länge 10.1mm
	Breite 10.58mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet-IPT010N08NM5ATMA1

Infineon IPT010N08NM5 Serie MOSFET, 80 V Drain-Source-Spannung, 43 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPT010N08NM5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Halbleiterschaltgerät, das für Hochstrom-Hochspannungsanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Leistungsumwandlungs-, Schalt- und Antriebsstromkreise vorgesehen, die eine robuste Drain-Source-Leistung und eine hohe Leistungsaufnahme erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für geringere Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Hohe Drain-Source-Spannung ermöglicht den Betrieb bei 80-V-Systemschienen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine dauerhafte Belastbarkeit von 43 A
• Hohe Verlustleistung unterstützt eine thermische Belastung von bis zu 375 W
• Eine typische Gate-Ladung von 178 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie

Anwendungsbereich

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenkonfigurationen
• Wird mit Stromversorgungen verwendet, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen bei der Schaltungsentwicklung beachtet werden?

Das Gate darf nicht über ein Maximum von 20 V hinaus betrieben werden, um eine Überlastung der Gate-Source zu vermeiden.

Welchem thermischen Umgebungsbereich kann er im Betrieb standhalten?

Er ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz unter extremen Temperaturbedingungen.

Wie viele Stifte sind für Leiterplatten-Routing und -Anschlüsse verfügbar?

Es gibt acht Stifte für das Layout und den elektrischen Anschluss in der Oberflächenmontage.

Welche Gehäusetyp sollte bei der Gestaltung der Leiterplattenfläche berücksichtigt werden?

Die Komponente verwendet ein HSOF-Gehäuse, das für die Oberflächenmontage und die Befestigung an der Leiterplatte vorgesehen ist.

Was ist der typische Leitungswiderstand, der bei Effizienzberechnungen zu berücksichtigen ist?

Erwarten Sie für die Schätzung der Verluste einen maximalen Drain-Source-Widerstand von ca. 1,05 mΩ.