Infineon SN7002I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 225-0583
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002IXTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,048 € | 144,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,045 € | 135,00 € |
| 15000 + | 0,043 € | 129,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0583
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SN7002I | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SN7002I | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon SN7002I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad