Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin SIHB5N80AE-GE3 TO-263

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RS Best.-Nr.:
225-9912
Herst. Teile-Nr.:
SIHB5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.88mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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