Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin SIHG15N80AEF-GE3 TO-247

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225-9914
Herst. Teile-Nr.:
SIHG15N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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