Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
228-2848
Herst. Teile-Nr.:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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