Infineon Zweifach N IPG Typ N-Kanal 2 Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 229-1843
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S412AATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
12,345 €
(ohne MwSt.)
14,685 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 135 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 9.705 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,823 € | 12,35 € |
| 75 - 135 | 0,783 € | 11,75 € |
| 150 - 360 | 0,749 € | 11,24 € |
| 375 - 735 | 0,716 € | 10,74 € |
| 750 + | 0,667 € | 10,01 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1843
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S412AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach N | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach N | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Zweikanal-MOSFET mit Normalpegel von Infineon hat die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung. Es handelt sich um zwei n-Kanal in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon Zweifach N IPG Typ N-Kanal 2 Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin SuperSO
- Infineon IPG Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 20 A TDSON
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin Leistung 33
- Infineon IST Typ N-Kanal 5-Pin sTOLL
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin
