Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 229-1845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
17,28 €
(ohne MwSt.)
20,565 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,152 € | 17,28 € |
| 75 - 135 | 1,095 € | 16,43 € |
| 150 - 360 | 1,048 € | 15,72 € |
| 375 - 735 | 1,003 € | 15,05 € |
| 750 + | 0,933 € | 14,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.15mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.15mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon Dual-n-Kanal-Logikpegel-MOSFET ist für automatische optische Inspektion geeignet. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen
Verwandte Links
- Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin SuperSO
- Infineon Zweifach N IPG Typ N-Kanal 2 Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt CoolMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt IPG20 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON