Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

1.605,00 €

(ohne MwSt.)

1.910,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,321 €1.605,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
229-1844
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N04S4L11AATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPG

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.9 mm

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon Dual-n-Kanal-Logikpegel-MOSFET ist für automatische optische Inspektion geeignet. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

Verwandte Links