Infineon IST Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 60 V / 399 A 313 W, 5-Pin sTOLL
- RS Best.-Nr.:
- 273-2820
- Herst. Teile-Nr.:
- IST011N06NM5AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IST011N06NM5AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 399A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | sTOLL | |
| Serie | IST | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 399A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße sTOLL | ||
Serie IST | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET und für Niederspannungs-Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen qualifiziert.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Zu 100 % gegen Lawinendurchbruch getestet
Ermöglicht automatische optische Lötprüfung
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