onsemi UniFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-223

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229-6327
Herst. Teile-Nr.:
FDT4N50NZU
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

UniFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor UniFET II Hochspannungs-MOSFET basiert auf Advanced planar Streifen- und DMOS-Technologie. Dieser Advanced MOSFET hat den kleinsten Betriebswiderstand unter dem planaren MOSFET und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Lawinenenergiefestigkeit. Es ist geeignet für Schaltleistungswandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur, Flachbildschirm-Display, TV-Leistung, ATX- und elektronische Lampenstarter.

Extrem niedrige Gate-Ladung

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-konform

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