onsemi NTMTS4D3N15MC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 175 A, 8-Pin DFNW8
- RS Best.-Nr.:
- 229-6485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
6,22 €
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,22 € | 12,44 € |
| 10 - 98 | 5,585 € | 11,17 € |
| 100 - 248 | 5,255 € | 10,51 € |
| 250 - 498 | 4,64 € | 9,28 € |
| 500 + | 4,51 € | 9,02 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 175 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
| Gehäusegröße | DFNW8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,005 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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