STMicroelectronics STH200 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 340 W, 3-Pin H2PAK-2

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234-8896
Herst. Teile-Nr.:
STH200N10WF7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

STH200

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur, die die Beständigkeit im linearen Modus erhöht und einen breiteren SOA in Kombination mit einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bietet. Der resultierende MOSFET sorgt für den besten Kompromiss zwischen Linearmodus und Schaltvorgängen.

Klassenbeste SOA-Fähigkeit

Hohe Stromstoßfestigkeit

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

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