Infineon IST N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 475 A 250 W, 5-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 235-0606
- Herst. Teile-Nr.:
- IST006N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IST006N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 475A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IST | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.9mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Höhe | 7.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 475A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IST | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.9mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Höhe 7.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOSTM6-Leistungstransistor arbeitet mit 40 V und einem Ablassstrom von 475 A. Er befindet sich in einem Stoll-Gehäuse mit sehr niedrigen RDS(on) von 0,60 mOhm. Er verfügt über die Vorteile der bekannten Qualitätsstufe von Infineon für robuste Industriegehäuse und ist damit die ideale Lösung für verschiedene Leistungen in batteriebetriebenen Anwendungen, Batterieschutz und Batteriebildung.
Optimiert für Niederspannungsmotorantriebe
Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))
100 % Avalanche-getestet
Überlegene Wärmeleistung
N-Kanal