Infineon IST N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 475 A 250 W, 5-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
235-0605
Herst. Teile-Nr.:
IST006N04NM6AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

475A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IST

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.4mm

Höhe

7.2mm

Länge

6.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOSTM6-Leistungstransistor arbeitet mit 40 V und einem Ablassstrom von 475 A. Er befindet sich in einem Stoll-Gehäuse mit sehr niedrigen RDS(on) von 0,60 mOhm. Er verfügt über die Vorteile der bekannten Qualitätsstufe von Infineon für robuste Industriegehäuse und ist damit die ideale Lösung für verschiedene Leistungen in batteriebetriebenen Anwendungen, Batterieschutz und Batteriebildung.

Optimiert für Niederspannungsmotorantriebe

Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))

100 % Avalanche-getestet

Überlegene Wärmeleistung

N-Kanal

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