Infineon IST N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 440 A 250 W, 5-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 235-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- IST007N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
7,54 €
(ohne MwSt.)
8,98 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,77 € | 7,54 € |
| 20 - 48 | 3,17 € | 6,34 € |
| 50 - 98 | 2,97 € | 5,94 € |
| 100 - 198 | 2,75 € | 5,50 € |
| 200 + | 2,555 € | 5,11 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- IST007N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 440A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | IST | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.9mm | |
| Höhe | 7.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 440A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie IST | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.9mm | ||
Höhe 7.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOSTM6-Leistungstransistor arbeitet mit 40 V und einem Ablassstrom von 440 A. Er befindet sich in einem Stoll-Gehäuse mit sehr niedrigen RDS(on) von 0,70 mOhm. Er hat die Vorteile der bekannten Qualitätsstufe von Infineon für robuste Industriegehäuse und ist damit die ideale Lösung für verschiedene Leistungen in batteriebetriebenen Anwendungen, Batterieschutz und Batteriebildung.
Optimiert für Niederspannungsmotorantriebe
Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))
100 % Avalanche-getestet
Überlegene Wärmeleistung
N-Kanal
Verwandte Links
- Infineon IST N-Kanal 5-Pin HSOF
- Infineon IST N-Kanal 5-Pin HSOF
- Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 315 A HSOF
- Infineon IAUA N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-5
- Infineon CoolGaN N-Kanal 8-Pin HSOF
- Infineon IAUA N-Kanal 5-Pin HSOF
- Infineon IAUT N-Kanal 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT N-Kanal 8-Pin HSOF
