Infineon IST007N04NM6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 440 A, 5-Pin HSOF-5
- RS Best.-Nr.:
- 235-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- IST007N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
3,33 €
(ohne MwSt.)
3,96 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,33 € | 6,66 € |
| 20 - 48 | 2,795 € | 5,59 € |
| 50 - 98 | 2,625 € | 5,25 € |
| 100 - 198 | 2,43 € | 4,86 € |
| 200 + | 2,26 € | 4,52 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 235-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- IST007N04NM6AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOSTM6-Leistungstransistor arbeitet mit 40 V und einem Ablassstrom von 440 A. Er befindet sich in einem Stoll-Gehäuse mit sehr niedrigen RDS(on) von 0,70 mOhm. Er hat die Vorteile der bekannten Qualitätsstufe von Infineon für robuste Industriegehäuse und ist damit die ideale Lösung für verschiedene Leistungen in batteriebetriebenen Anwendungen, Batterieschutz und Batteriebildung.
Optimiert für Niederspannungsmotorantriebe
Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))
100 % Avalanche-getestet
Überlegene Wärmeleistung
N-Kanal
Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))
100 % Avalanche-getestet
Überlegene Wärmeleistung
N-Kanal
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 440 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | HSOF-5 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0007 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.3V |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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