Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die geringe Leitungsverluste und eine hohe kontinuierliche Ableitstromkapazität erfordern, während er in einem TDSON-Gehäuse montiert ist.

• 433 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten von starken Strömen
• Niedrige Rds(on) von 5,5 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 188 W unterstützt die Handhabung hoher Leistung
• 59 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Energieplanung
• Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V sorgt für eine große Antriebsspanne

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Regler
• Ideal für Server-Stromversorgungsschienen und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen

Das TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche und erfordert eine geeignete Leiterplatten-Kupferfläche oder Wärmeleitungen, um seine 188-W-Nennleistung innerhalb der thermischen Einschränkungen auf Board-Ebene effektiv zu verteilen.

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, was den Einsatz über einen breiten Temperaturbereich ohne Herabsetzung für viele Hochtemperaturumgebungen ermöglicht.

Antriebsschaltkreise müssen die Gate-Spannung innerhalb von ±20 V halten und die Gesamt-Gate-Ladung von 59 nC bei der Abmessung des Treiber-Spitzenstroms und der Schaltzeit berücksichtigen.

Verwenden Sie die Rds(on) von 5,5 mΩ, um die Leitungsverluste von I^2R zu schätzen, und berücksichtigen Sie bei der Berechnung der Gesamttemperatur- und Effizienzbudgets die Energie für die Aufladung des 59-nC-Gates.