onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
NTHL045N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTHL

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


Der N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET von ON Semiconductor mit 650 V, 42 mΩ. Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich sind die Systemvorteile höchster Wirkungsgrad, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Hohe Sperrtemperatur

Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität

Max. RDS(on) = 50 mΩ bei Vgs = 18 V, Id = 66 A

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