onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 66 A TO-247

Der N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET von ON Semiconductor mit 650 V, 42 mΩ. Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich sind die Systemvorteile höchster Wirkungsgrad, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Hohe Sperrtemperatur
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Max. RDS(on) = 50 mΩ bei Vgs = 18 V, Id = 66 A