onsemi NTM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin DFN-5

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244-9183
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS3D2N10MDT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTM

Gehäusegröße

DFN-5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET wird als Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler, synchroner Gleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC, AC/DC-Adapter (USB PD) SR, Lastschalter, Hot-Swap, O-Ring-Schalter, BLDC-Motor und Solarwechselrichter verwendet. Drain-to-Source-Spannung und Gate-to-Source-Spannung für diesen MOSFET beträgt 100 V bzw. ±20 V.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Low Qrr, Soft-Recovery-Gehäusediode

Niedriger QOSS zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Berylliumfrei und RoHS-konform

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